반도체공정理論
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작성일 23-09-06 00:49
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그러나 이는 break down voltage를 떨어뜨려 소자의 特性(특성)을 낮추게 되므로 좋지않은 방법이다.
b. 유전율이 큰 물질을 사용하는 것이다. 즉, k 값이 큰 물질을 축전판 사이에 삽입하면 capacitor 용량이 커지고, k 값이 작아지면 용량이 작아지게 된다
진공은 k 값이 1인 dielectric material 로 생각하면 될 것이다.
2) 유전물질의 응용
일반적으로 반도체에 있어서 dielectric material은 크게 두 가지 경우에 있어서 사용되고 있…(투비컨티뉴드
)
① capacitor dielectric material
a. d를 줄이는 방법이다.
② interlevel dielectric
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반도체공정理論에 상대하여 설명하고 있습니다.반도체공정이론 , 반도체공정이론공학기술레포트 ,
설명
* < ε0는 진공에서의 유전율로 8.85 x 10-12F/m 값을 가지며 ε는 진공이 아닌 일반적인 물질에서의 유전율을 나타낸다. 이것은 ε = k*ε0이므로 높은 k 값의 물질을 사용하는 것을 의미한다.
반도체공정理論
반도체공정理論
다. 이 때의 k를 유전상수라고 한다.
반도체공정이론에 대해서 설명하고 있습니다. >
V = Ed의 관계식에 의해
V = (E0/k) * d
=> V = (E0*d) / k ( V0 = E0d)
=> V = V0 / k
즉, 두 판 사이에 유전율이 ε인 물질을 삽입하면 두 판 사이의 퍼텐셜의 차이(전위차)는 k(= ε / ε0) 만큼 축소하게된다
또한 전기용량 C = Q / V이므로
C = Q0 / V
=> C = Q0 / ( V0 / k ) ( V = V0 / k )
=> C = kQ0 / V0 = kC0
가 된다 이로서 k 값과 capacitor 용량이 비례관계가 성립함을 알 수 있으며 우리가 적절한 유전상수를 가진 물질을 축전판 사이에 삽입하면 정전용량을 k 값에 따라 조절 할 수 있음을 의미한다.
