바이오나노학부 나노 Engineeringtest(실험) 레포트(report) photoresist
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작성일 23-07-01 05:10
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develop하기 전에 bake의 정도에 따라 negative image로 나타나는지, positive image로 나타나는지 알아보는 것이 이번 實驗(실험)의 목적이다.
② 200℃의 hot plate에서 10분 동안 건조시킨 후 Wafer를 식힌다.
⑦ 상이 선명해질 때까지 Develop을 진행한다.
③ 1μm의 두께로 AZ5214E를 spin coating 한다.설명
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나노 공학實驗(실험) 보고서
Image Reversal using AZ5214E positive photoresist
바이오나노학부
1. Introduction
-Photoresist는 전자소자의 회로와 화상 형성 등에 사용되고 있으며, IC, LSI, 초LSI의 미세하고 복잡한 회로 패턴을 제작하는데 있어서 필수 불가결한 재료의 하나이다. 그러나 이번 Photoresist인 AZ5214E는 점도가 그렇게 크지 않았기 때문에 wafer에 spin coating이 잘 되었다.4. Result.
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다.


