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창원대 전기전자회로 응용實驗 리포트 3.Tansistor/MOSFET

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작성일 23-01-19 18:08

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순서

창원대 전기전자회로응용實驗 리포트/pspice simulator로 회로결선 + 결과파형 /實驗 중 일부임을 밝힘
설명
test(실험) 순서

1.그림 3.2의 npn transistor bias 회로를 결선하여라. v_bb 전아ㅂ을 0에서 5v 사이오 가변시키면서 v_ce 전압의 변화를 관찰하고, v_ce〓5v 로 될 때 v_bb 전압과 v_be 전압을 측정(測定) 하여 h_fe와 동작점 Q(V_ce,I_c)를 구하여라.

2.그림 3.10의 npn transistor 증폭회로를 결헌하여라. function generator의 offset 전압을 0으로 두고 v_bb전압과 v_ce 전압의 파형을 그려라. 그림을 그린 다음 offset 전압을 조정하면서 v_ce 전압의 파형을 관찰하여라(transistor의 포화 및 차단영역에서 신호의 증폭이 이루어지지 않는 사실 확인.)

V_off 〓 0, 0.7, 1.7, 2.7[V]일 때 파형

레포트/공학기술

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창원대 전기전자회로 응용實驗 리포트 3.Tansistor/MOSFET
다.

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