[전자재료실험] MOS Capacitor
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작성일 24-04-15 09:32
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2. 實驗(실험) 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계效果 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능…(省略)
실험과제/전기전자
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다.
[전자재료실험] MOS Capacitor
[전자재료실험] MOS Capacitor
설명
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- 목차 -
1. 實驗(실험) 목적
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p. 2
2. 實驗(실험) 배경
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p. 2
3. 實驗(실험) 理論(이론)
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p. 2
① Si의 特性
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p. 2
② MOS Capacitor
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p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
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p. 8
4. 實驗(실험) 방법
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p. 9
5. 결과 예측
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p. 11
6. 결과 分析(분석)
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p. 12
① C-V 결과 分析(분석)
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p. 12
② I-V 결과 分析(분석)
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p. 16
7. 結論
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p. 19
8. 서지사항
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p. 19
1. 實驗(실험) 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정(測定) 하여 각각의 변수가 어떤 effect(영향) 을 미치는지에 대하여 分析(분석)해 본다.
