[工學(공학) ,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Cleaning & Oxidation
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작성일 24-04-05 06:59
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( :계면활성제)
- Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다.
2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI 용액을 이용하여 헹군다.3) Spin Dryer
- 30분 동안 70…(생략(省略))4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인
5) Wet oxidation
6) Ellipsometer을 이용하여 층의 thickness를 측정(measurement)한다.
2. 實驗 방법
가. 實驗 변수Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 Ωcm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours
나. 實驗 준비물
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type 시료
다.
공학,기술,반도체공정,실험,Cleaning,&,Oxidation,기타,실험과제
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[工學(공학) ,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Cleaning & Oxidation
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실험과제/기타
[工學(공학) ,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Cleaning & Oxidation
實驗 1 : Cleaning & Oxidation
1. 實驗 목적MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 change(변화)에 어떤 influence(영향)을 주는지 확인하여본다. 實驗 과정
