디지털 工學(공학)
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작성일 22-10-23 23:34
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NAND memory는 삼성에서 독보적인 존재로 알고 있다아 하지만 NAND memory는 지우지 않고 연속적으로 페이지에 쓸 수 있는 회수가 극히 제한되어 있다아 그리고 순차적 access디바이스이다 보니 NOR에 비해 속도가 떨어진다는 단점이 있다아
NOR memory는 cell이 병렬로 연결된 방식이고 NAND형과 같이 1소자 1cell이지만 셀에 bit선 contact와 source선 contact가 존재하므로 집적도가 낮아진다.
Flash Memory에는 NAND(not and) memory와 NOR(not or) memory가 있다아 NAND memory는 contact를 사용하지 않고 확산층에서 memory cell을 직렬로 연결하여 bit선 수와 comtact 수를 최소로 되도록 설계되었다.
<참고 문헌>www.naver.com 지식IN
TTL 게이트 74시리즈중 NAND, NOR, NOT 게이트의 로직상태 變化에 따른 딜레이 시간을 조사하고, 빠른 순서로 나열…(省略)
디지털工學(공학) 29[1].15
레포트/공학기술
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디지털 工學(공학) 에 대한 자료입니다. 또한, 데이터 기록에 hot electrion 현상을 이용하기 때문에 대전류를 소비한다. NOR memory는 NAND memory에 비해 data access time이 짧고 data의 안전성이 우수하다.
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디지털 工學(공학)
디지털 공학에 대한 자료입니다. 하지만 집적도가 낮다보니까 대용량 memory에 어려움을 겪는다. 얼마 전에 삼성에서 나온 50nm 16G Flash Memory를 생산했는데 그것도 NAND memory이다. 디지털공학29[1].15 , 디지털 공학공학기술레포트 ,
설명
·Flash Memory는 전원이 없는 상태에서도 메모리에 데이타가 계속 저장돼어질 수 있는 메모리를 뜻한다.
다. 그리고 몇 몇 제어핀이 추가된 다중화된 I/O 인터페이스를 사용하고 데이터 저장에 적합한 순차적 access디바이스이다.
長點으로는 보통 NOR보다 속도는 느리지만 집적도가 높아서 대용량에 가능하다.
